特許
J-GLOBAL ID：200903096371713835

電極、電極形成方法、薄膜トランジスタ、電子回路、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置および電子機器

発明者：
守谷 壮一

守谷 壮一 について

, 
川瀬 健夫

川瀬 健夫 について

, 
原田 光明

原田 光明 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (2件)： 増田 達哉 ,  朝比 一夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-162538
公開番号（公開出願番号）：特開2005-203728
出願日： 2004年05月31日
公開日（公表日）： 2005年07月28日
要約：
【課題】低コストで作製可能でありかつ正孔の注入効率の高い電極、かかる電極を簡便に製造し得る電極形成方法、信頼性の高い薄膜トランジスタ、この薄膜トランジスタを用いた電子回路、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、および、電子機器を提供すること。【解決手段】薄膜トランジスタ1は、トップゲート型の薄膜トランジスタであり、互いに分離して設けられたソース電極20aおよびドレイン電極20bと、ソース電極20aおよびドレイン電極20b間に介在する有機半導体層30と、有機半導体層30とゲート電極50との間に位置するゲート絶縁層40とを有する構造をしており、さらに基板10上に搭載されている。ソース電極20aおよびドレイン電極20bは、それぞれ、下地電極層21および表面電極層22の2層で構成されている。表面電極層22は、Cu、Ni、Co、Agのうちの少なくとも1種を含む酸化物を含有している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
主として有機材料で構成され正孔を輸送する機能を有する有機層に対して、正孔を注入する電極であって、 前記電極は、該電極の少なくとも前記有機層側の面に、Cu、Ni、Coのうちの少なくとも1種を含む酸化物を含有することを特徴とする電極。
IPC (7件)：
H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/43 ,  H01L29/786 ,  H01L51/00 ,  H05B33/14 ,  H05B33/26
FI (9件)：
H01L21/28 301R ,  H05B33/14 A ,  H05B33/26 Z ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/28 ,  H01L29/46 ,  H01L29/50 M
Fターム (81件)：
3K007AB03 ,  3K007AB18 ,  3K007CB04 ,  3K007CC00 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB36 ,  4M104BB39 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD51 ,  4M104DD53 ,  4M104DD65 ,  4M104DD68 ,  4M104DD78 ,  4M104DD89 ,  4M104EE03 ,  4M104EE18 ,  4M104FF13 ,  4M104GG02 ,  4M104GG04 ,  4M104GG08 ,  4M104HH20 ,  5F110AA01 ,  5F110AA07 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110FF36 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK06 ,  5F110HK18 ,  5F110HK21 ,  5F110HK31 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ14
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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