特許
J-GLOBAL ID：200903070251706194

縦型有機トランジスタ

発明者：
家地 洋之

家地 洋之 について

, 
工藤 一浩

工藤 一浩 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について

, 
工藤 一浩

工藤 一浩 について


代理人 (1件)： 瀧野 秀雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-286815
公開番号（公開出願番号）：特開2004-128028
出願日： 2002年09月30日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：
【課題】電流密度及び動作速度を向上させると共に、再現性良く大量に生産できる構造の縦型有機トランジスタを低コストで提供する。【解決手段】基板1上に、少なくとも、第一の電極(ドレイン電極)2、第一の半導体層3、櫛状又はメッシュ状の第二の電極(ゲート電極)4、第二の半導体層5、及び、第三の電極(ソース電極)7を順次有する縦型有機トランジスタにおいて、前記第一の半導体層3を無機半導体材料で構成し、そして、前記第二の半導体層5を有機半導体材料で構成する。前記無機半導体材料は、例えば、導電性又は半導体的性質を有する金属酸化物である。前記有機半導体材料は、例えば、▲1▼ナフタレン等のアセン分子材料、▲2▼フタロシアニン系化合物等の顔料、▲3▼ヒドラゾン化合物等の低分子化合物、又は、▲4▼ポリ-N-ビニルカルバゾール等の高分子化合物である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に、少なくとも、第一の電極、第一の半導体層、櫛状又はメッシュ状の第二の電極、第二の半導体層、及び、第三の電極を順次有する縦型有機トランジスタにおいて、前記第一の半導体層を無機半導体材料で構成し、そして、前記第二の半導体層を有機半導体材料で構成したことを特徴とする縦型有機トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L29/80 ,  H01L51/00 ,  H05B33/14
FI (3件)：
H01L29/80 V ,  H05B33/14 A ,  H01L29/28
Fターム (11件)：
3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  3K007GA00 ,  5F102FB01 ,  5F102GB04 ,  5F102GC08 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL00 ,  5F102GS09 ,  5F102GS10
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM