特許

J-GLOBAL ID：200903096390297826

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 中村 晃 ,  石原 知明 ,  小林 和憲 ,  田中 宏典 ,  江本 文昭
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-034538
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232582
出願日： 1996年02月22日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【課題】 ボンディングパッド形成工程の製造コストを削減できる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】 絶縁基板上にシリコン薄膜の形成工程、ゲート絶縁膜の形成工程、ゲート電極の形成工程、ソース/ドレインの形成工程、第1層間絶縁膜の形成工程、コンタクトホールの形成工程、金属配線の形成工程からなる薄膜トランジスタ形成工程と、第2層間絶縁膜形成工程、コンタクトホールの形成工程、バリヤメタル形成工程、透明画素電極形成工程からなる画素電極形成工程とを有し、ボンディングパッドをバリヤメタル形成工程でボンディングパッド領域のバリヤメタルパターンを形成した後画素電極形成工程でバリヤメタルで形成されたボンディングパッド領域上の透明導電体をエッチング除去して前記バリヤメタルで形成する。また、ボンディングパッド部を透明画素電極工程で透明画素電極を形成するとともにボンディングパッド部をも形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に選択的にシリコン薄膜の島領域を形成し、同島領域の表面にゲート絶縁膜を形成し、同ゲート絶縁膜上にゲート電極を選択的に形成し、前記島領域中にソースとドレインを形成し、表面に第1層間絶縁膜を形成し、同第1層間絶縁膜に第1のコンタクトホールを形成し、同第1のコンタクトホールと表面に選択的に金属配線を形成することにより薄膜トランジスタを形成し、その後表面に第2層間絶縁膜を形成し、同第2層間絶縁膜にコンタクトホールを形成し、バリヤメタルをボンディングパッド領域を含み選択的に形成し、透明導電体を全面に形成した後、同透明導電体を選択的に除去して透明画素電極を形成するとともに、前記バリヤメタルで形成された前記ボンディングパッド領域を露出させてボンディングパッド部を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 29/78 616 K ,  H01L 21/90 B ,  H01L 29/78 616 S