特許
J-GLOBAL ID:200903096391394736

マイクロ波高出力増幅器

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高田 守
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-098615
公開番号(公開出願番号):特開平7-307626
出願日: 1994年05月12日
公開日(公表日): 1995年11月21日
要約:
【要約】【目的】 マイクロ波高出力増幅器の高出力化を図ることを目的とする。【構成】 入力整合回路あるいは出力整合回路の少なくとも一方をマイクロストリップ線路で形成し、マイクロ波高出力増幅器の入力端末から出力端子までのFETの中央部及び両端部を通るマイクロ波の経路長を物理的にほぼ等しくするスリットをマイクロ波の伝ぱん方向に沿ってマイクロストリップ線路上に設けた。【効果】 入力端子から出力端子までのFETの中央部及び両端部を通るマイクロ波の経路長を等しくすることにより、FETの各部を同相で動作させることができ、マイクロ波高出力増幅器の高出力化を図ることができる効果がある。
請求項(抜粋):
入力整合回路と出力整合回路と半導体増幅素子とから成るマイクロ波高出力増幅器において、上記、入力整合回路あるいは出力整合回路の少なくとも一方を誘電体基板あるいは半導体基板上に形成されたマイクロストリップ線路で構成し、かつ、マイクロ波の伝ぱん方向に沿って、上記、マイクロストリップ線路上には入力端子から出力端子までの上記半導体素子の中央部あるいは両端部を通るマイクロ波信号の経路長がほぼ等しくなるようなスリットを設けたことを特徴とするマイクロ波高出力増幅器。
IPC (5件):
H03F 3/60 ,  H01P 5/02 ,  H01P 5/08 ,  H01P 5/12 ,  H03F 3/20
引用特許:
審査官引用 (8件)
  • 特開平3-066205
  • 高周波半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-208882   出願人:三菱電機株式会社
  • 特開昭57-211755
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