特許
J-GLOBAL ID：200903096419145168
半導体装置の製法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-121454
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204556
出願日： 1998年04月30日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：
【要約】【課題】半導体素子とボードとの空隙に封止樹脂層を形成する際に、装置全体に反りの発生を抑制することができ、結果、信頼性に優れた半導体装置を容易に製造することのできる半導体装置の製法を提供する。【解決手段】複数の球状の接続用電極部2が設けられた配線回路基板1上に、上記接続用電極部2を介して封止用樹脂シート10を載置し、ついで、上記封止用樹脂シート10上の所定位置に、半導体素子3を載置する。その後、所定時間加熱保持し、下記の条件(X)および(Y)を満たす状態で加圧接合することにより、上記半導体素子3と上記配線回路基板1との間の空隙内に溶融状態の封止用樹脂を充填し硬化させることにより上記空隙を樹脂封止して封止樹脂層を形成する。(X)示差走査熱量計(DSC)により測定される封止用樹脂シート10の加熱前の初期残存反応熱量を100%とした場合、残存反応熱量が初期残存反応熱量の70%以下である。(Y)配線回路基板1の温度よりも半導体素子3の温度を高く設定し、かつ両者の温度差が50°C以上である。
請求項（抜粋）：
配線回路基板上に、複数の接続用電極部を介して半導体素子が搭載され、上記配線回路基板と半導体素子との間の空隙が封止樹脂層によって封止されてなる半導体装置の製法であって、上記配線回路基板と半導体素子との間に層状の固形樹脂を介在させて所定時間加熱し、上記固形樹脂層が所定の温度領域になった段階で、配線回路基板と半導体素子を下記の条件(X)および(Y)を満たして加圧接合することにより上記固形樹脂を溶融させ上記封止樹脂層を形成することを特徴とする半導体装置の製法。(X)示差走査熱量計(DSC)により測定される固形樹脂の加熱前の初期残存反応熱量を100%とした場合、残存反応熱量が初期残存反応熱量の70%以下である。(Y)配線回路基板の温度よりも半導体素子の温度を高く設定し、かつ両者の温度差が50°C以上である。
IPC (6件)：
H01L 21/56
, C08L 63/00
, H01L 21/60 311
, H01L 23/28
, H01L 23/29
, H01L 23/31
H01L 21/56 R
, C08L 63/00 B
, H01L 21/60 311 S
, H01L 23/28 Z
, H01L 23/30 R
