特許
J-GLOBAL ID：200903096433714035
キャパシタを有する半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-122188
公開番号（公開出願番号）：特開平10-313103
出願日： 1997年05月13日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：
【要約】【課題】 リーク電流が小さく、かつ比誘電率の高いキャパシタ誘電体層を含むキャパシタを有する半導体装置を提供する。【解決手段】 プラグ層9を通じてMOSトランジスタ20のソース/ドレイン領域15と接するように層間絶縁層27上にストレージノード1が形成されている。このストレージノード1と対向するようにキャパシタ誘電体層を介してセルプレート5が形成されている。ストレージノード1は、Ruよりなり、Ruの(002)配向度が95%以上である。
請求項（抜粋）：
高誘電率材料を含むキャパシタ誘電体層を第1および第2の電極で挟んでなるキャパシタを有する半導体装置であって、前記第1および第2の電極の少なくともいずれかの材料のX線回折における(002)回折ピーク強度が、前記第1および第2の電極の積層方向において(101)回折ピーク強度の7倍以上である、キャパシタを有する半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
H01L 27/10 651
, H01L 27/10 621 B
