半導体装置の製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-381504
公開番号（公開出願番号）：特開2002-305187
出願日： 2001年12月14日
公開日（公表日）： 2002年10月18日
要約：

【要約】【課題】マスク材としてのエッチング耐性を十分に確保でき、被加工部材を高精度に加工することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】この発明の半導体装置の製造方法は、被加工部材104上に、芳香環を有し、炭素原子の含有量が80wt%以上のマスク材105を形成する工程と、マスク材105を所望のパターンにエッチングしてマスク材パターン105を形成する工程と、マスク材パターン105をマスクにして、被加工部材104をエッチングする工程とを有する。

請求項（抜粋）：

被加工部材上に、芳香環を有し、炭素原子の含有量が80wt%以上のマスク材を形成する工程と、前記マスク材を所望のパターンにエッチングしてマスク材パターンを形成する工程と、前記マスク材パターンをマスクにして、前記被加工部材をエッチングする工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (12件)：

H01L 21/3065 , B05D 1/32 , B05D 7/00 , G03F 7/075 , G03F 7/11 503 , G03F 7/38 512 , G03F 7/40 , G03F 7/40 521 , H01L 21/027 , H01L 21/28 , H01L 21/3213 , H01L 21/768

FI (13件)：

B05D 1/32 A , B05D 7/00 H , G03F 7/075 , G03F 7/11 503 , G03F 7/38 512 , G03F 7/40 , G03F 7/40 521 , H01L 21/28 F , H01L 21/302 H , H01L 21/88 D , H01L 21/90 A , H01L 21/30 502 R , H01L 21/30 575

Fターム (143件)：

2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD01 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BG00 , 2H025DA40 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 2H025FA19 , 2H025FA20 , 2H025FA28 , 2H025FA41 , 2H096AA25 , 2H096CA05 , 2H096EA05 , 2H096FA04 , 2H096FA05 , 2H096GA08 , 2H096GA37 , 2H096HA23 , 2H096HA30 , 2H096JA03 , 2H096JA04 , 4D075AC41 , 4D075AD02 , 4D075AD03 , 4D075AE03 , 4D075BB28Y , 4D075BB40Y , 4D075BB42Y , 4D075BB45Y , 4D075BB46Y , 4D075BB47Y , 4D075BB48Y , 4D075BB91Y , 4D075CA01 , 4D075CA02 , 4D075DA06 , 4D075DB06 , 4D075DB07 , 4D075DB13 , 4D075DB14 , 4D075DC22 , 4D075EA07 , 4D075EB09 , 4D075EB22 , 4D075EB32 , 4D075EB39 , 4D075EB42 , 4D075EB44 , 4D075EB52 , 4D075EC07 , 4D075EC52 , 4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB40 , 4M104CC01 , 4M104DD07 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD43 , 4M104DD65 , 4M104EE05 , 4M104EE14 , 4M104EE15 , 4M104EE17 , 4M104FF16 , 4M104FF22 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH09 , 4M104HH12 , 4M104HH14 , 4M104HH20 , 5F004AA04 , 5F004BA13 , 5F004BA14 , 5F004BA20 , 5F004DA01 , 5F004DA25 , 5F004DA26 , 5F004DB01 , 5F004DB03 , 5F004DB07 , 5F004DB08 , 5F004DB09 , 5F004DB16 , 5F004DB23 , 5F004EA03 , 5F004EA04 , 5F004EA05 , 5F033HH04 , 5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH11 , 5F033JJ01 , 5F033JJ08 , 5F033JJ09 , 5F033JJ11 , 5F033KK08 , 5F033KK09 , 5F033KK11 , 5F033LL04 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033QQ01 , 5F033QQ04 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ13 , 5F033QQ27 , 5F033QQ28 , 5F033QQ33 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR09 , 5F033RR23 , 5F033RR25 , 5F033SS13 , 5F033SS15 , 5F033SS22 , 5F033WW00 , 5F033WW04 , 5F033XX00 , 5F033XX01 , 5F033XX03 , 5F033XX12 , 5F046NA19

引用特許：

出願人引用 (2件)

パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-048251 出願人：株式会社東芝
特開平4-287047

審査官引用 (2件)

パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-048251 出願人：株式会社東芝
特開平4-287047

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