特許

J-GLOBAL ID：200903010194849088

パターン形成方法

発明者： 佐藤 康彦 ,  塩原 英志 ,  中野 義彦 ,  早瀬 修二 ,  大西 廉伸
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-048251
公開番号（公開出願番号）：特開2000-310863
出願日： 2000年02月24日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 レジストパターンをマスク材に転写する際に生じる寸法変換差を抑制して、寸法精度よく被加工膜を加工可能なパターン形成方法を提供する。【解決手段】 被加工膜上に鋳型パターンを形成する工程、前記鋳型パターンの間に、下記一般式(CP1)ないし(CP4)で表される繰り返し単位を有するネットワーク状炭素重合体の少なくとも1種を含むマスク材を埋め込む工程、前記鋳型パターンを除去してマスク材パターンを形成する工程、及び前記マスク材パターンを前記被加工膜に転写して被加工膜パターンを形成する工程を具備するパターン形成方法である。(上記一般式中、Rはハロゲン原子、水素原子、置換または無置換の炭化水素基であり、Aは多価の有機基である。m,n,kは正の整数である。)

請求項（抜粋）：

被加工膜上に、下記一般式(CP1)ないし(CP4)で表される繰り返し単位を有するネットワーク状炭素重合体の少なくとも1種を含む溶液を塗布してマスク材を形成する工程と、前記マスク材上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に対してパターン露光および現像処理を施してレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンを前記マスク材に転写して、マスク材パターンを形成する工程と、前記マスク材パターンを前記被加工膜に転写して、被加工膜パターンを形成する工程とを具備するパターン形成方法。【化1】(上記一般式中、Rはハロゲン原子、水素原子、置換または無置換の炭化水素基であり、Aは多価の有機基である。m,n,kは正の整数である。)

IPC (6件)：

G03F 7/40 521 ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/30 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/3213

FI (7件)：

G03F 7/40 521 ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/30 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 574 ,  H01L 21/302 H ,  H01L 21/88 D