特許
J-GLOBAL ID：200903010194849088
パターン形成方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-048251
公開番号（公開出願番号）：特開2000-310863
出願日： 2000年02月24日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 レジストパターンをマスク材に転写する際に生じる寸法変換差を抑制して、寸法精度よく被加工膜を加工可能なパターン形成方法を提供する。【解決手段】 被加工膜上に鋳型パターンを形成する工程、前記鋳型パターンの間に、下記一般式(CP1)ないし(CP4)で表される繰り返し単位を有するネットワーク状炭素重合体の少なくとも1種を含むマスク材を埋め込む工程、前記鋳型パターンを除去してマスク材パターンを形成する工程、及び前記マスク材パターンを前記被加工膜に転写して被加工膜パターンを形成する工程を具備するパターン形成方法である。(上記一般式中、Rはハロゲン原子、水素原子、置換または無置換の炭化水素基であり、Aは多価の有機基である。m,n,kは正の整数である。)
請求項（抜粋）：
被加工膜上に、下記一般式(CP1)ないし(CP4)で表される繰り返し単位を有するネットワーク状炭素重合体の少なくとも1種を含む溶液を塗布してマスク材を形成する工程と、前記マスク材上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に対してパターン露光および現像処理を施してレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンを前記マスク材に転写して、マスク材パターンを形成する工程と、前記マスク材パターンを前記被加工膜に転写して、被加工膜パターンを形成する工程とを具備するパターン形成方法。【化1】(上記一般式中、Rはハロゲン原子、水素原子、置換または無置換の炭化水素基であり、Aは多価の有機基である。m,n,kは正の整数である。)
IPC (6件)：
G03F 7/40 521
, G03F 7/11 503
, G03F 7/30
, H01L 21/027
, H01L 21/3065
, H01L 21/3213
G03F 7/40 521
, G03F 7/11 503
, G03F 7/30
, H01L 21/30 502 R
, H01L 21/30 574
, H01L 21/302 H
, H01L 21/88 D
