エッチングの光誘起抑制を用いるパターン形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：川口義雄 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-562943
公開番号（公開出願番号）：特表2002-521840
出願日： 1999年07月20日
公開日（公表日）： 2002年07月16日
要約：

【要約】基板を選択的にエッチングする方法は、基板の表面にエッチャント(4)を適用し、表面領域を光源(7)から光により照射し、それにより、基板の照射される領域(18)においてエッチングが少なくとも部分的に禁止されることを含んでなる。好ましくは、LiNbO3は、300nmから1000nmの波長を有するUVレーザー光を選択的に照射することによって、HF KOH、またはHF=HNO3溶液中で選択的照射によりパターン形成され、それによって干渉性あるいはホログラフ性構造を形成することが可能となる。

請求項（抜粋）：

基板を選択的にエッチングする方法であって、基板の表面にエッチャントを適用し、表面領域を光源から光により照射し、それにより、基板の照射される領域においてエッチングが少なくとも部分的に禁止されることを含んでなる方法。

IPC (3件)：

H01L 21/306 , C03C 15/00 , G11B 7/26 501

FI (3件)：

C03C 15/00 Z , G11B 7/26 501 , H01L 21/306 B

Fターム (10件)：

4G059AA08 , 4G059AC30 , 4G059BB04 , 4G059BB12 , 4G059BB16 , 5D121JJ10 , 5F043AA40 , 5F043BB30 , 5F043DD08 , 5F043GG10

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開平4-267524
特開昭47-004115

審査官引用 (3件)

特開平4-267524
特開平4-267524
特開昭47-004115

引用文献：

出願人引用 (2件)

審査官引用 (2件)

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