プラズマエッチング装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-064752
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260758
出願日： 1999年03月11日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】従来から問題となっている鉄、クロム、ニッケルの金属汚染を防止し、デバイス劣化を抑制するのに好適なプラズマエッチング装置を提供することにある。【解決手段】アルミニウム製接地電極表面の陽極酸化処理時に使用する酸にクロムを含まない硫酸や蓚酸を、封孔処理時に使用する処理液にニッケルを含まない水蒸気やイオン交換脱塩水を使用することにより陽極酸化処理膜への不純物の混入を防止し、陽極酸化処理膜から発生する金属による引き起こされるデバイス劣化を抑制する。本発明によればエッチング処理室4の接地電極7からの金属汚染を防止し、デバイス劣化を抑制することができる。

請求項（抜粋）：

プラズマエッチング装置において、接地電位にある部材をアルミニウムの表面に陽極酸化処理を施工したものとし、該部材の陽極酸化処理をクロム(Cr)を含まない酸により行い、陽極酸化後に行う封孔処理をニッケル(Ni)を含まない処理液によって行うことを特徴とするプラズマエッチング装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H05H 1/46

FI (4件)：

H01L 21/302 B , C23F 4/00 E , C23F 4/00 D , H05H 1/46 C

Fターム (27件)：

4K057DA20 , 4K057DB06 , 4K057DD03 , 4K057DE01 , 4K057DE11 , 4K057DE20 , 4K057DM01 , 4K057DM21 , 4K057DM22 , 4K057DM23 , 4K057DM28 , 4K057DM29 , 4K057DM40 , 4K057DN01 , 5F004AA00 , 5F004BA14 , 5F004BA15 , 5F004BA20 , 5F004BB11 , 5F004BB18 , 5F004BB29 , 5F004BB30 , 5F004DA00 , 5F004DA04 , 5F004DA26 , 5F004DB01 , 5F004DB02

引用特許：

審査官引用 (3件)

真空処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-302486 出願人：東京エレクトロン山梨株式会社
プラズマエッチング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-048110 出願人：株式会社日立製作所
湯洗装置とその装置を用いた湯洗方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-266292 出願人：勝川工業株式会社

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