特許

J-GLOBAL ID：200903096462167612

液晶表示装置およびアクティブマトリクス基板

発明者： 島田 尚幸 ,  梶谷 優 ,  岡本 昌也 ,  近藤 直文 ,  片山 幹雄 ,  咲花 由和 ,  山本 明弘 ,  中田 幸伸 ,  錦 博彦 ,  嶋田 吉祐
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-220220
公開番号（公開出願番号）：特開平11-119262
出願日： 1996年08月09日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：

【要約】【課題】 開口率向上のために画素電極と各配線とをオーバーラップさせると共に、各配線と画素電極との間の容量が表示に与える影響を低減する。【解決手段】 スイッチング素子、該ゲート配線および該ソース配線の上部に、層間絶縁膜が設けられ、該層間絶縁膜上に該画素電極が設けられ、下記式(1)で表される容量比が、10%以下である。容量比=Csd/(Csd+Cls) ・・・(1)但し、Csdは画素電極とソース配線との間の容量値を示し、Clsは各画素を構成する液晶の中間調表示における容量値を示す。

請求項（抜粋）：

ゲート配線と、ソース配線と、ゲート配線とソース配線との交差部の近傍に設けられたスイッチング素子とを有し、該スイッチング素子は該ゲート配線に接続されたゲート電極と、該ソース配線に接続されたソース電極と、液晶層に電圧を印加するための画素電極に接続されたドレイン電極とを有する液晶表示装置であって、該スイッチング素子、該ゲート配線および該ソース配線の上部に、層間絶縁膜が設けられ、該層間絶縁膜上に該画素電極が設けられ、下記式(1)で表される容量比が、10%以下である液晶表示装置;容量比=Csd/(Csd+Cls) ・・・(1)但し、Csdは画素電極とソース配線との間の容量値を示し、Clsは各画素を構成する液晶の中間調表示における容量値を示す。

IPC (4件)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/133 550 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 29/786

FI (5件)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/133 550 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 29/78 612 C ,  H01L 29/78 619 B

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平4-237092
  
• アクテイブマトリクス基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-305040   出願人：シヤープ株式会社
• アクティブマトリクス基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-283171   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 液晶パネル
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-015762   出願人：富士通株式会社
• 液晶表示装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-028154   出願人：三洋電機株式会社