特許

J-GLOBAL ID：200903096465670730

化合物半導体装置及びその製造方法

発明者： 倉本 大
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 高橋 詔男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-147280
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340892
出願日： 1999年05月26日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】 動作電圧が低く、長寿命かつ歩留まりが向上する窒化物半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】 成長圧力100Torr,成長温度1050°C、MOCVD法でn型Al0.1Ga0.9N基板39表面にSiドープn型Al0.1Ga0.9Nのn型クラッド層40を形成。成長圧力760Torr、同じ温度でSiドープn型GaNのn型光閉じ込め層41を形成。成長温度780°C、In0.2Ga0.8N井戸層及びIn0.05Ga0.95Nバリア層のアンドープMQW層42を成長。成長温度1050°C,成長圧力100Torr、Mgドープp型Al0.2Ga0.8Nのキャップ層43を形成。成長圧力760Torr、Mgドープp型GaNのp型光閉じ込め層44を形成、成長圧力100Torr、Mgドープp型Al0.1Ga0.9Nのp型クラッド層45を成長。成長圧力を1400Torr、Mgドープp型GaNのp型コンタクト層46を成長させる。p型クラッド層45,p型コンタクト層46のメサ型47を形成、SiO2絶縁膜48をつけ、メサ部分を出し、LD構造を形成する。

請求項（抜粋）：

有機金属気相成長法により製造された化合物半導体装置において、半導体基板と、この上表面に順次重ねて形成された、組成が同様な複数の化合物半導体層と、前記半導体基板に形成された第1の電極と、最上層の前記化合物半導体層に形成された第2の電極とを具備し、前記化合物半導体層毎に形成されるときの気相成長の圧力が異なることを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (3件)：

H01S 5/323 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 3/18 673 ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 33/00 C

Fターム (32件)：

4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104AA09 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD21 ,  4M104FF03 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  4M104HH15 ,  5F041AA24 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA99 ,  5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CA17 ,  5F073CB02 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073CB10 ,  5F073DA05 ,  5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (3件)

• III族窒化物発光素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-167033   出願人：パイオニア株式会社
• 発光素子及びその製造方法および光ディスク装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-176742   出願人：松下電器産業株式会社
• 窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法および成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-169759   出願人：ソニー株式会社