発光素子及びその製造方法および光ディスク装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：滝本智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-176742
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026877
出願日： 1997年07月02日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：

【要約】【課題】へき開を容易にして低しきい値電流密度で発振するGaN系半導体レーザを提供することを目的とする。【解決手段】 InGaN多重量子井戸発光層14を有するGaN系の六方晶系構造を有する半導体をn型GaAs基板18のような立方晶系の半導体とを熱処理を施すことにより融着により付着させる。その後、n型GaAs基板18をへき開すると、このへき開に従って六方晶系の半導体もへき開されるため、極めて平滑な共振器端面が得られ、結果的には小さなしきい値電流の発光素子を得ることができる。

請求項（抜粋）：