特許
J-GLOBAL ID:200903096470797382

読出電圧と書込電圧とが異なる強誘電性メモリ感知方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 湯浅 恭三 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-076594
公開番号(公開出願番号):特開平8-273375
出願日: 1996年03月29日
公開日(公表日): 1996年10月18日
要約:
【要約】【課題】 強誘電性メモリのデータ保持能力を向上させること。【解決手段】 強誘電性コンデンサ(16、18)を完全には飽和させないが、その分極状態に対応する検出可能な電荷量を放出するのには十分な電圧で、強誘電性コンデンサの第1の分極状態を読み出し復旧する。その次に、その強誘電性コンデンサを完全に飽和させるのに十分な電圧で、強誘電性コンデンサに第2の分極状態を書き込む。書込み/復旧動作の間には、通常よりも低い電圧を有するパルスを用い、書込み動作の間には、通常よりも高い電圧を有するパルスを用いる。
請求項(抜粋):
有極強誘電性コンデンサを含む不揮発性強誘電性メモリ・セルを動作させる方法において、読出動作の間には、前記強誘電性コンデンサを完全には飽和させるには十分でないが第1の分極状態に対応する検出可能な量の電荷を放出するのには十分な電圧において、前記強誘電性コンデンサの前記第1の分極状態を読み出し復旧するステップと、書込動作の間は、前記強誘電性コンデンサを完全に飽和させるのに十分な電圧において、前記強誘電性コンデンサに第2の分極状態を書き込むステップと、を含むことを特徴とする方法。
IPC (2件):
G11C 14/00 ,  G11C 11/22
FI (2件):
G11C 11/34 352 A ,  G11C 11/22
引用特許:
審査官引用 (2件)

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