特許
J-GLOBAL ID：200903096480368960
食刻遅延現象を改善する半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-137669
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164581
出願日： 1999年05月18日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：
【要約】【課題】 食刻遅延現象を改善する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 食刻対象層12の上部にフォトレジストパターン14を形成する段階と、プラズマ処理を行いフォトレジストパターン14の側壁に食刻対象層12の食刻速度を増加させるための食刻速度増加膜を一定の厚さで形成する段階と、食刻速度増加膜が形成されているフォトレジストパターンを食刻マスクとして用いて食刻対象層を食刻することによりコンタクト用のウィンドウを形成する段階とを備えることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
食刻対象層の上部にフォトレジストパターンを形成する段階と、プラズマ処理を行い前記フォトレジストパターンの側壁に前記食刻対象層の食刻速度を増加させるための食刻速度増加膜を一定の厚さで形成する段階と、前記食刻速度増加膜が形成されている前記フォトレジストパターンを食刻マスクとして用いて前記食刻対象層を食刻することによりコンタクト用のウィンドウを形成する段階とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
FI (2件)：
H01L 21/302 F
, H01L 21/302 J
5F004AA01
, 5F004BA20
, 5F004CA09
, 5F004DA00
, 5F004DA04
, 5F004DA16
, 5F004DA23
, 5F004DA26
, 5F004DB00
