特許

J-GLOBAL ID：200903096503701718

半導体集積回路

発明者： 吉田 満
出願人/特許権者： NECエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 机 昌彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-395360
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197913
出願日： 2001年12月26日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：

【要約】【課題】出力MOSトランジスタの電流制限値が大きく変動しない半導体集積回路を提供する。【解決手段】半導体基板の一主表面上に形成された出力MOSトランジスタ(M1)と、トランジスタ(M1)の過電流を検出する過電流検出回路105と、トランジスタ(M1)のゲート電極端子とソース電極端子間に接続され、過電流検出回路105の検出電流を制御し、トランジスタ(M1)のしきい値電圧の変動に応じて、その出力電圧が変動する過電流制限回路102とを備え、過電流検出回路105のトランジスタM2と過電流制限回路102のトランジスタM3を縦接続し、トランジスタM3のしき値をトランジスタ(M1)のしきい値電圧の変動に応じて、変動させる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の一主表面上に形成された出力電界効果トランジスタと、前記出力電界効果トランジスタの過電流を検出する過電流検出回路と、前記出力電界効果トランジスタのゲート電極端子とソース電極端子間に接続され、前記過電流検出回路の検出電流を制御し、前記出力電界効果トランジスタのしきい値電圧の変動に応じて、その出力電圧が変動する過電流制限回路とを備えること特徴とする半導体集積回路。

IPC (7件)：

H01L 29/78 657 ,  H01L 29/78 656 ,  G05F 1/10 301 ,  G05F 1/10 304 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/06 311 ,  H01L 27/088

FI (7件)：

H01L 29/78 657 F ,  H01L 29/78 656 C ,  H01L 29/78 657 G ,  G05F 1/10 301 B ,  G05F 1/10 304 M ,  H01L 27/06 311 C ,  H01L 27/08 102 A

Fターム (18件)：

5F048AA07 ,  5F048AB07 ,  5F048AC03 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BC03 ,  5F048BD07 ,  5F048BE03 ,  5F048BG12 ,  5F048CC04 ,  5F048CC09 ,  5H410BB05 ,  5H410EA11 ,  5H410FF05 ,  5H410FF23 ,  5H410LL06 ,  5H410LL19 ,  5H410LL20

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-150294   出願人：関西日本電気株式会社
• 負荷駆動装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-175533   出願人：松下電器産業株式会社