特許

J-GLOBAL ID：200903096504430700

半導体集積回路装置

発明者： 寺岡 栄一 ,  吉田 豊彦
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-280388
公開番号（公開出願番号）：特開平11-122047
出願日： 1997年10月14日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：

【要約】【課題】 処理性能を劣化させることなく消費電流を低減する。【解決手段】 内部回路(1)に含まれるMOSトランジスタ(P1,P2,N1,N2)のバックゲートへ与えられるバックゲート電圧(VGP,VGN)の電圧レベルを、モード検出回路(10)からの動作モードに応じた選択信号(SELp,SELn)に応じて、複数の異なる電圧レベルの電圧を発生する電圧発生回路(2a,2b,4a,4b)のうちの選択信号が指定する電圧を選択する。動作モードに応じてMOSトランジスタのしきい値電圧および駆動電流量が調整され、低消費電流で高速動作する半導体集積回路装置を実現することができる。

請求項（抜粋）：

所定電圧を受けるソースとバックゲートとを有する絶縁ゲート型電界効果トランジスタを構成要素として含み、かつ複数の動作モードで動作可能な内部回路、互いに電圧レベルが異なりかつ前記絶縁ゲート型電界効果トランジスタのソース電圧を基準として互いに極性の異なる電圧および前記ソース電圧と同一電圧レベルの電圧を含む複数のバイアス電圧を生成するバイアス電圧発生手段、前記内部回路の動作モードを検出し、該検出した動作モードに応じた選択信号を発生する動作モード検出手段、および前記動作モード検出手段からの選択信号と前記バイアス電圧発生手段からの複数のバイアス電圧とを受け、該受けた選択信号に従って前記複数のバイアス電圧のうちの1つを選択して前記絶縁ゲート型電界効果トランジスタのバックゲートへ印加するバイアス電圧選択手段を備える、半導体集積回路装置。

IPC (5件)：

H03F 1/02 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/78 ,  H03K 19/094

FI (4件)：

H03F 1/02 ,  H01L 27/08 321 L ,  H01L 29/78 301 J ,  H03K 19/094 D

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-075931   出願人：日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-345901   出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (2件)

• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-075931   出願人：日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-345901   出願人：株式会社日立製作所