小型で、低電圧の、雑音余裕のあるメモリセル

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-051933
公開番号（公開出願番号）：特開平11-317081
出願日： 1999年02月26日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
要約：

【要約】【課題】現在のFIFOセルおよび関連するプログラム可能ロジックデバイスの制限を克服すること。【解決手段】データ信号を受け取るための入力と、さらに出力とを有するラッチと、ラッチの該出力を制御するために、制御信号に応答して、ラッチを所定電位に選択的に結合するためのスイッチと、を含むメモリセル。

請求項（抜粋）：

データ信号を受け取るための入力と、さらに出力とを有するラッチと、該ラッチの該出力を制御するために、制御信号に応答して、該ラッチを所定電位に選択的に結合するためのスイッチと、を含む、メモリセル。

引用特許：

審査官引用 (5件)

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