特許
J-GLOBAL ID：200903096530634356
ショットキーバリア半導体装置およびその製法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-118921
公開番号（公開出願番号）：特開平9-307120
出願日： 1996年05月14日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：
【要約】【課題】 逆方向特性の耐圧が大きく、かつ、順方向電圧降下が小さいショットキーバリア半導体装置およびその製法を提供する。【解決手段】 半導体層2の表面にショットキー接合を形成する金属層3が設けられ、該金属層の周囲の前記半導体層の上層部に該半導体層の導電型と異なる導電型の領域のガードリング4が形成されたショットキーバリア半導体装置であって、前記ガードリングの内側で該ガードリング4と分離して前記半導体層2に凹部が形成され、該凹部の表面に前記金属層3が設けられている。
請求項（抜粋）：
半導体層の表面にショットキーバリアを形成する金属層が設けられ、該金属層の周囲の前記半導体層の上層部に該半導体層の導電型と異なる導電型の領域のガードリングが形成されたショットキーバリア半導体装置であって、前記ガードリングの内側で該ガードリングと分離して前記半導体層に凹部が形成され、該凹部の表面に前記金属層が設けられてなるショットキーバリア半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/872
, H01L 29/41
, H01L 29/861
, H01L 21/329
H01L 29/48 F
, H01L 29/44 C
, H01L 29/91 D
, H01L 29/91 B
