半導体ウエハ表面へのPb-Sn合金突起電極形成用電気メッキ液および電気メッキ方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：富田和夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-205326
公開番号（公開出願番号）：特開2000-038694
出願日： 1998年07月21日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：

【要約】【課題】 Pb-Sn合金突起電極を形成するためのメッキ方法を提供する。【解決手段】電気メッキ液が、フェノールスルホン酸鉛:Pb含有割合で1〜250g/l、フェノールスルホン酸錫:Sn含有割合で0.1〜250g/l、フェノールスルホン酸:20〜300g/l、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルアミン:1〜50g/l、2-ヒドロキシ-1-ナフトアルデヒド:0.001〜1g/l、アルドールスルファニル誘導体:0.1〜30g/l、遊離フェノール:6.6〜50g/lの割合で含有する水溶液からなる電気メッキ液を使用し、ストライク電流密度を付与した後一定の低電流密度および電流供給の停止の波形の繰り返しの通電、またはメッキ開始時に1回のストライク電流密度を付与した後一定の低電流密度を電気メッキ時間の経過と共に段階的に上昇させる波形の通電を行うことにより電気メッキする。

請求項（抜粋）：

フェノールスルホン酸鉛:Pb含有割合で1〜250g/l、フェノールスルホン酸錫:Sn含有割合で0.1〜250g/l、フェノールスルホン酸:20〜300g/l、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルアミン:1〜50g/l、2-ヒドロキシ-1-ナフトアルデヒド:0.001〜1g/l、アルド-ルスルファニル誘導体:0.1〜30g/l、の割合で含有し、さらに、遊離フェノール:6.6〜50g/lを含有する水溶液からなることを特徴とする半導体ウエハ表面へのPb-Sn合金突起電極形成用電気メッキ液。

IPC (4件)：

C25D 3/56 , C25D 7/12 , H01L 21/288 , H01L 21/60

FI (4件)：

C25D 3/56 Z , C25D 7/12 , H01L 21/288 E , H01L 21/92 604 B

Fターム (24件)：

4K023BA29 , 4K023CB03 , 4K023CB04 , 4K023CB05 , 4K023CB11 , 4K023CB13 , 4K023CB21 , 4K023DA07 , 4K023DA08 , 4K024AA09 , 4K024AA22 , 4K024AB02 , 4K024AB08 , 4K024BA11 , 4K024BB12 , 4K024CA04 , 4K024CA06 , 4K024CB13 , 4K024DA09 , 4K024GA02 , 4M104AA01 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD52

引用特許：

審査官引用 (14件)

半導体ウエハ表面へのPb-Sn合金突起電極形成用電気メッキ液
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-100014 出願人：三菱マテリアル株式会社, 株式会社大和化成研究所
スズ及びスズ合金めっき浴
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-203216 出願人：石原薬品株式会社
特開平4-083894

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