特許
J-GLOBAL ID：200903096534703530
半導体デバイスの製造方法およびそれにより得られる半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-033353
公開番号（公開出願番号）：特開2005-228789
出願日： 2004年02月10日
公開日（公表日）： 2005年08月25日
要約：
【課題】 半導体層の結晶品質のよい半導体デバイスの製造方法およびそれにより得られる半導体発光素子を提供する。【解決手段】 結晶成長条件の異なる2以上の半導体層を含む多層構造からなる半導体デバイスの製造方法であって、一の半導体層の結晶成長工程10と他の半導体層の結晶成長工程12との間における結晶成長中断工程20において、降温工程20aおよび前記降温工程後の昇温工程20cを含む半導体デバイスの製造方法。上記結晶成長中断工程20において、降温工程20aと昇温工程20cとの間に低温保持工程20bを含むことができる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
結晶成長条件の異なる2以上の半導体層を含む多層構造からなる半導体デバイスの製造方法であって、一の半導体層の結晶成長工程と、他の半導体層の結晶成長工程との間における結晶成長中断工程において、降温工程および前記降温工程後の昇温工程を含む半導体デバイスの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (10件)：
5F073AA45
, 5F073AA55
, 5F073AA74
, 5F073CA07
, 5F073CA17
, 5F073CB01
, 5F073DA04
, 5F073DA05
, 5F073DA06
, 5F073DA35
