特許

J-GLOBAL ID：200903096548948579

半導体装置

発明者： 佐久間 芳樹
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-013275
公開番号（公開出願番号）：特開2001-203382
出願日： 2000年01月21日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：

【要約】【課題】 高い発光効率を容易且つ確実に得ることができ、従来のSi-MOSトランジスタ構造との整合性に優れ、光インターコネクト用にも利用可能であり、LSIの格段な性能向上を図る。【解決手段】 MIS型発光素子は、MIS型(MOS型)トランジスタと同様に構成される。ここで、ゲート絶縁膜3は、内部に発光物質、具体的にはSi,SiGe,Geなどの半導体ナノクリスタル、直接遷移型の半導体の多結晶や微結晶、Er,Euなどの希土類元素、ZnS:Mnなどの蛍光物質が添加されて形成されている。ソース/ドレイン2に所定電圧を、ゲート電極4に所定バイアスを印加することで、ゲート絶縁膜3を発光させる。

請求項（抜粋）：

ゲート電極及びソース/ドレインを備えたMIS型のトランジスタ構造を有してなる半導体装置であって、ゲート絶縁膜内に発光物質が添加されており、前記ゲート電極にバイアス電圧を印加することで前記ゲート絶縁膜中に導電性キャリアを注入し、前記ゲート絶縁膜を発光せしめることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  C09K 11/08 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/26

FI (4件)：

H01L 33/00 A ,  C09K 11/08 F ,  H05B 33/14 Z ,  H05B 33/26 Z

Fターム (20件)：

3K007AB03 ,  3K007CB01 ,  3K007DA05 ,  3K007DB02 ,  3K007DC02 ,  3K007DC04 ,  3K007EC03 ,  3K007FA01 ,  4H001CA01 ,  4H001XA07 ,  4H001XA08 ,  4H001XA13 ,  4H001XA14 ,  4H001XA22 ,  5F041AA03 ,  5F041AA31 ,  5F041CA06 ,  5F041CA33 ,  5F041CA71 ,  5F041CB31

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 輝度変調型ダイヤモンド発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-057755   出願人：株式会社神戸製鋼所
• 電荷トラツプ膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-313313   出願人：ローム株式会社
• 量子ドットの製造方法及び量子ドット装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-257409   出願人：富士通株式会社