特許
J-GLOBAL ID：200903096559054685

光学素子の作製方法

発明者：
吽野 靖行

吽野 靖行 について

, 
田中 一郎

田中 一郎 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 日比谷 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-301709
公開番号（公開出願番号）：特開2000-199813
出願日： 1999年10月22日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
要約：
【要約】【課題】 マスク位置合わせ誤差による回折効率の低下を防止したSiO2より成るバイナリ型回折光学素子を作製する。【解決手段】 バイナリ型回折格子を刻み込んだSiO2基板11上にRFスパッタリング法により同一のSiO2の薄膜12を成膜して、基板11の表面上にマスクの位置合わせ誤差等により生ずる微細な凹凸形状を最小膜厚で被覆することによって平坦化して、回折効率の低下を防止する。
請求項（抜粋）：
基板上に凹凸構造を形成した後に、前記構造の上部に前記構造の形状エラーを修復する膜を形成することを特徴とする光学素子の作製方法。
IPC (4件)：
G02B 5/18 ,  G02B 1/11 ,  G03F 7/20 501 ,  C23C 14/06
FI (4件)：
G02B 5/18 ,  G03F 7/20 501 ,  C23C 14/06 Z ,  G02B 1/10 A
引用特許：
審査官引用 (7件)
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