特許
J-GLOBAL ID：200903096581303745
化合物半導体エピタキシャルウェハ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-105619
公開番号（公開出願番号）：特開平6-318547
出願日： 1993年05月06日
公開日（公表日）： 1994年11月15日
要約：
【要約】【目的】FETの相互コンダクタンスgmを大幅に増加させる。【構成】炭素濃度が0.2〜2×1016cm-3の半絶縁性GaAs基板1の上に、例えばi-GaAs層2、n-GaAs層3、n+ -GaAs層4を成長させたエピタキシャルウェハからFETを作成すると、基板のリーク電流が抑止され、良好な相互コンダクタンスgm特性が得られる。
請求項（抜粋）：
炭素濃度が0.2〜2×1016cm-3の半絶縁性GaAs基板の上に複数の化合物半導体薄膜が形成されていることを特徴とする、化合物半導体エピタキシャルウェハ。
IPC (3件)：
H01L 21/20
, H01L 21/338
, H01L 29/812
