特許
J-GLOBAL ID:200903096594515164

SiH基を含有する含窒素有機系化合物の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-140981
公開番号(公開出願番号):特開2003-335788
出願日: 2002年05月16日
公開日(公表日): 2003年11月28日
要約:
【要約】【課題】安定的にSiH基を含有する含窒素有機系化合物を製造できる手段を提供すること。【解決手段】SiH基と反応性を有する炭素-炭素二重結合を1分子中に少なくとも2個含有する含窒素有機化合物(A)とSiH基を1分子中に少なくとも2個含有する化合物(B)を金属原子を有するヒドロシリル化触媒(C)の存在下で反応させる際に、酸素(D)の存在した状態でヒドロシリル化反応を行ない、(A)成分中のSiH基と反応性を有する炭素-炭素二重結合が残存した状態で反応を終了する。
請求項(抜粋):
SiH基と反応性を有する炭素-炭素二重結合を1分子中に少なくとも2個含有する含窒素有機化合物(A)とSiH基を1分子中に少なくとも2個含有する化合物(B)を金属原子を含有するヒドロシリル化触媒(C)の存在下で反応させてSiH基を含有する含窒素有機系化合物を製造する際に、酸素(D)の存在した状態でヒドロシリル化反応を行ない、(A)成分中のSiH基と反応性を有する炭素-炭素二重結合が残存した状態で反応を終了することを特徴とする、SiH基を含有する含窒素有機系化合物の製造方法。
IPC (3件):
C07F 7/18 ,  C08G 77/388 ,  C07B 61/00 300
FI (3件):
C07F 7/18 X ,  C08G 77/388 ,  C07B 61/00 300
Fターム (23件):
4H039CA92 ,  4H039CF10 ,  4H049VN01 ,  4H049VP08 ,  4H049VP09 ,  4H049VQ02 ,  4H049VQ60 ,  4H049VQ86 ,  4H049VR11 ,  4H049VR21 ,  4H049VR42 ,  4H049VS02 ,  4H049VS85 ,  4H049VT17 ,  4J035BA02 ,  4J035CA02U ,  4J035CA18M ,  4J035EB01 ,  4J035EB03 ,  4J035LA03 ,  4J035LB01 ,  4J035LB03 ,  4J035LB20
引用特許:
審査官引用 (2件)

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