特許

J-GLOBAL ID：200903096595865533

可変光減衰器

発明者： 内山 真吾 ,  高橋 光俊 ,  荘司 哲史 ,  森田 博文 ,  板橋 聖一
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (3件)： 山川 政樹 ,  黒川 弘朗 ,  山川 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-046122
公開番号（公開出願番号）：特開2004-258119
出願日： 2003年02月24日
公開日（公表日）： 2004年09月16日
要約：

【課題】シリコン細線をコアとしてこれを絶縁物などのクラッドで覆った導波路で、電気制御により任意の光減衰量を与えられる可変光減衰器を提供する。【解決手段】下部クラッド層101と上部クラッド層103との間に、シリコンからなるスラブ102を備え、スラブ102の一部を厚くすることで断面寸法が0.1〜0.5μmのコア102aを形成し、コア102aを挟むスラブ102の領域に、n形キャリア供給部104とp形キャリア供給部105とを設ける。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

シリコンよりも屈折率の小さい下部クラッド層と、 この下部クラッド層の上に形成されたシリコン層からなるスラブと、 このスラブの一部を厚くすることで形成されたコアと、 このコアを覆って前記スラブの上に形成された上部クラッド層と、 前記スラブの前記コアの近傍に設けられたn形キャリア供給部と、 このn形キャリア供給部に前記コアを介して対向して前記スラブの前記コアの近傍に設けられたp形キャリア供給部と、 前記n形キャリア供給部及び前記p形キャリア供給部に各々接続する電極とを少なくとも備え、 前記コアは、幅が0.2〜0.5μmに形成され、高さが0.2〜0.5μmに形成されたものであることを特徴とする可変光減衰器。

IPC (2件)：

G02F1/025 ,  G02B6/12

FI (2件)：

G02F1/025 ,  G02B6/12 J

Fターム (18件)：

2H047KA05 ,  2H047NA04 ,  2H047PA04 ,  2H047PA05 ,  2H047PA14 ,  2H047PA24 ,  2H047QA02 ,  2H047RA08 ,  2H047TA11 ,  2H079AA05 ,  2H079AA13 ,  2H079BA01 ,  2H079CA01 ,  2H079CA04 ,  2H079DA16 ,  2H079EA03 ,  2H079EB03 ,  2H079HA13

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-196005
  
• 光導波路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-194408   出願人：沖電気工業株式会社
• 特開平1-196005