特許
J-GLOBAL ID：200903041486083909

光導波路装置

発明者：
荒川 富行

荒川 富行 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-194408
公開番号（公開出願番号）：特開2002-014242
出願日： 2000年06月28日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：
【要約】【課題】コアと下部クラッドおよび上部クラッドとの比屈折率差が大きい光導波路を提供する。【解決手段】SOI基板の埋め込みシリコン酸化膜を下部クラッド102として使用し、このSOI基板のシリコン層を加工することによってコア103を形成し、SOI基板の表面にシリコン酸化膜を堆積することによって上部クラッド104を形成する。シリコンとシリコン酸化膜とは屈折率の差が大きいので、比屈折率差が大きい光導波路を得ることができる。光導波路の比屈折率差を大きくすることにより、光回路の小型化、低価格化が実現される。また、SOI基板を用いるので、製造工程数を減らすことができる。
請求項（抜粋）：
光を伝搬するコアと、このコアの周囲を覆う下部クラッドおよび上部クラッドとを有する光導波路を用いた、光導波路装置において、前記コアがシリコンで形成され、且つ、前記下部クラッドおよび上部クラッドが酸化シリコンで形成されたことを特徴とする光導波路装置。
IPC (2件)：
G02B 6/12 ,  G02F 1/313
FI (3件)：
G02F 1/313 ,  G02B 6/12 N ,  G02B 6/12 H
Fターム (15件)：
2H047KA04 ,  2H047KB04 ,  2H047NA01 ,  2H047QA02 ,  2H047QA07 ,  2H047RA08 ,  2H047TA43 ,  2K002AA02 ,  2K002AB05 ,  2K002BA13 ,  2K002CA13 ,  2K002DA07 ,  2K002EA14 ,  2K002EA16 ,  2K002HA11
引用特許：
審査官引用 (4件)
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引用文献：
審査官引用 (7件)
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