特許

J-GLOBAL ID：200903096601185299

素子試験装置及び素子試験方法

発明者： 吉村 弘幸
出願人/特許権者： 富士電機デバイステクノロジー株式会社
代理人 (1件)： 服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-303500
公開番号（公開出願番号）：特開2009-128190
出願日： 2007年11月22日
公開日（公表日）： 2009年06月11日
要約：

【課題】半導体装置の生産性を向上させ、低コスト化を実現する素子試験装置を提供する。【解決手段】半導体素子20を支持する支持台11と、半導体素子20に配置されたエミッタ電極20eに面接触させる織布または不織布状の導電性シート30sと、当該主電極に接触させた導電性シート30sに荷重を与える加圧機構30pと、導電性シート30sと加圧機構30pとの間に介在する弾性体層30eと、半導体素子20の制御用電極に接触させる、少なくとも一つのコンタクトピン30gと、を有する素子試験装置1を提供する。これにより、半導体装置の生産性が向上し、低コスト化が実現する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体素子の電気的特性を評価する素子試験装置であって、 前記半導体素子を支持する支持台と、 前記半導体素子に配置された主電極に接触させる織布または不織布状の導電性シートと、 前記主電極に接触させた前記導電性シートに荷重を与える加圧機構と、 前記導電性シートと前記加圧機構との間に介在する弾性体層と、 前記半導体素子の制御用電極に接触させる、少なくとも一つの接触子と、 を有することを特徴とする素子試験装置。

IPC (1件)：

G01R 31/26

FI (1件)：

G01R31/26 J

Fターム (9件)：

2G003AA01 ,  2G003AB01 ,  2G003AB09 ,  2G003AE09 ,  2G003AG03 ,  2G003AG08 ,  2G003AG12 ,  2G003AH07 ,  2G003AH08

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体素子の試験装置および試験方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-164016   出願人：富士電機デバイステクノロジー株式会社