特許

J-GLOBAL ID：200903096609649065

基板処理装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 高野 智
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 油井 透 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-089028
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282461
出願日： 2002年03月27日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】 基板昇温過程における基板面内温度差に起因した基板の弾性変形を抑制し、基板面内温度均一状態で成膜等の基板処理を行えるようにする。【解決手段】 基板処理装置は、基板面内で一様でない加熱が可能な分割型の抵抗加熱ヒータ3にて、サセプタ2上の基板1を加熱するようになっている。加熱時の基板1の温度に応じて基板1の反りが発生しない下記に示す基板面内温度偏差Δtを求める。抵抗加熱ヒータ3にて加熱される基板1の面内温度偏差が前記Δt以内に維持されるように、抵抗加熱ヒータ3を制御して、基板1の加熱制御を行なう。Δt≦350×EXP(-0.004×T)但し、Tは基板の温度

請求項（抜粋）：

基板面内で一様でない加熱が可能な加熱部材にて基板を加熱する基板処理装置において、前記基板の加熱状態に応じて異なる前記基板の反りが発生しない基板面内温度偏差Δtを基板の加熱状態に応じて求め、前記加熱部材にて加熱される前記基板の面内温度偏差が前記Δt以内に維持されるように、前記加熱部材を制御するようにした制御部を有した基板処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/027 ,  H05B 3/00 310

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H05B 3/00 310 E ,  H01L 21/30 567

Fターム (17件)：

3K058AA86 ,  3K058BA19 ,  3K058CA12 ,  3K058CA23 ,  3K058CA31 ,  3K058CA70 ,  5F045AF03 ,  5F045BB02 ,  5F045BB11 ,  5F045DP03 ,  5F045DP28 ,  5F045EF05 ,  5F045EK22 ,  5F045EM10 ,  5F045GB05 ,  5F045GB15 ,  5F046KA04

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-175354   出願人：東京エレクトロン株式会社