特許
J-GLOBAL ID:200903092461398151
熱処理装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
浅井 章弘
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-175354
公開番号(公開出願番号):特開2002-367914
出願日: 2001年06月11日
公開日(公表日): 2002年12月20日
要約:
【要約】【課題】 スループットの低下を生ずることなく、被処理体の昇温時に被処理体の反り返り変形が発生することを防止することが可能な熱処理装置を提供する。【解決手段】 真空引き可能になされた処理容器14と、この処理容器内に設けられて所定の温度にて処理すべき被処理体をその上に載置する載置台24と、前記載置台の被処理体を同心円状に区分されたゾーン毎に個別に加熱する複数のゾーン加熱部を有する加熱手段50と、前記加熱手段の各ゾーン加熱部への電力を供給する電力供給手段56とを有する熱処理装置において、前記同心円状のゾーンの内の少なくとも1つのゾーンに対応させて設けた温度測定手段60と、前記被処理体の昇温時に前記温度測定手段の検出値に基づいて前記被処理体に、前記被処理体の中央部の温度が高くて周縁部の温度が低くなるような温度分布を持たせた状態で前記被処理体を、少なくとも前記所定の温度よりも低い反り安全温度まで昇温させるように前記電力供給手段を制御する電力制御手段58とを有し、前記電力制御手段は前記操作量を制限するためのリミッタ部を含む。
請求項(抜粋):
真空引き可能になされた処理容器と、その処理容器内に設けられて所定の温度にて処理すべき被処理体をその上に載置する載置台と、前記載置台の被処理体をゾーン状に加熱するゾーン加熱部を有する加熱手段と、前記加熱手段への電力を供給する電力供給手段とを有する熱処理装置において、前記被処理体の中央部の温度が高くて周縁部の温度が低くなるような温度分布を持たせた状態で前記被処理体を昇温させるように前記電力供給手段を制御する電力制御手段を有し、前記電力制御手段は操作量を制限するためのリミッタ部を含んでいることを特徴とする熱処理装置。
IPC (4件):
H01L 21/205
, C23C 16/46
, H01L 21/26
, H05B 3/00 310
FI (4件):
H01L 21/205
, C23C 16/46
, H05B 3/00 310 E
, H01L 21/26 T
Fターム (27件):
3K058AA87
, 3K058BA19
, 3K058CA12
, 3K058CA69
, 3K058CB09
, 3K058CB10
, 4K030FA10
, 4K030HA11
, 4K030JA10
, 4K030KA24
, 4K030KA41
, 4K030LA15
, 5F045AA06
, 5F045AF01
, 5F045BB11
, 5F045DP03
, 5F045DQ04
, 5F045EC03
, 5F045EF05
, 5F045EK14
, 5F045EK22
, 5F045EK27
, 5F045EK30
, 5F045EM09
, 5F045EN04
, 5F045GB04
, 5F045GB05
引用特許:
審査官引用 (10件)
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多点温度モニタによる温度制御方法及び半導体製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-108129
出願人:株式会社日立製作所
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特開平4-102901
-
熱処理装置および熱処理方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-304095
出願人:大日本スクリーン製造株式会社
-
シリコンウェーハの熱処理方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-209280
出願人:コマツ電子金属株式会社
-
特開平2-249227
-
特開平3-218624
-
薄膜形成装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-124232
出願人:キヤノン株式会社
-
エネルギー線加熱装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-205908
出願人:テル・バリアン株式会社
-
特開昭62-020308
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基板熱処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-364848
出願人:大日本スクリーン製造株式会社
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