特許
J-GLOBAL ID：200903096633001556
低残留応力構造の溶接方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-147147
公開番号（公開出願番号）：特開平9-001376
出願日： 1995年06月14日
公開日（公表日）： 1997年01月07日
要約：
【要約】【目的】 溶接パスの積層順序とそれに伴う残留応力、残留変形に注目することにより、残留応力、残留変形の小さい溶接条件を設定した低残留応力構造の溶接方法を提供する。【構成】 溶接構造物の材質や、継手の開先の種類を含めた情報により形状を決定する。次に、溶接条件を決定する。その際、溶接方法、溶接姿勢、溶接棒径、入熱量を含めた情報を入力する。選択された溶接パスの積層順序で製作する溶接構造物について、残留応力解析を実施する。残留応力解析結果から、残留応力を評価する点として予め決めておいた注目点での残留応力値を読み込む。注目点での残留応力値がこれまでに行なった残留応力解析による注目点の残留応力値より小さい場合は、今回評価を行なっている溶接パスの積層順序を記憶する。
請求項（抜粋）：
溶接される構造物の継手形状に応じて、溶接条件を設定するに当り、特定の溶接条件における溶接パスの積層の順序を決めるものとし、前記特定の溶接条件下で溶接による残留応力解析を行ない、残留応力評価点として予め定めた注目点における残留応力値が最も小さくなる溶接パスの積層順序を、複数ある溶接パスの積層順序を逐次比較して選択することを特徴とする低残留応力構造の溶接方法。
IPC (4件)：
B23K 31/00
, B23K 9/00 501
, B23K 9/095 501
, G21C 13/00 GDB
B23K 31/00 F
, B23K 9/00 501 S
, B23K 9/095 501 A
, G21C 13/00 GDB X
