特許
J-GLOBAL ID：200903096633437133
リードオンリメモリおよびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 幸男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-268289
公開番号（公開出願番号）：特開2001-094063
出願日： 1999年09月22日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：
【要約】【課題】 データの書込みのみのための格別なイオン注入工程を不要とするリードオンリメモリを提供する。【解決手段】 半導体基板11に配置された複数のメモリセル17を接続するワード線15およびビット線14によって選択されたメモリセル17のビット線14に流れる電流の検出により、当該メモリセルに格納されたメモリ内容が2値のいずれであるかを判定されるリードオンリメモリ10。メモリセル群17が、それぞれのメモリ内容に対応すべく、非選択状態で導通状態を保持しまた選択状態で導通を遮断する電界効果トランジスタ17aと、選択および非選択に拘わらず導通状態を保持する導通部17bとからなる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にマトリクス状に配置された複数のメモリセルを接続するワード線およびビット線の選択によって選択されたメモリセルに接続された前記ビット線に流れる電流の有無が検出され、これにより当該メモリセルに格納されたメモリ内容が2値のいずれであるかを判定されるリードオンリメモリであって前記複数のメモリセルからなるメモリセル群は、それぞれの前記メモリ内容に対応すべく、非選択状態で導通状態を保持しまた選択状態で導通を遮断する電界効果トランジスタと、電界効果トランジスタに換えて設けられ、選択および非選択に拘わらず導通状態を保持する導通部との組み合わせからなることを特徴とするリードオンリメモリ。
IPC (2件)：
H01L 27/10 431
, H01L 27/115
H01L 27/10 431
, H01L 27/10 434
5F083CR01
, 5F083CR02
, 5F083GA28
, 5F083KA01
, 5F083LA12
, 5F083LA16
, 5F083NA02
, 5F083PR12
, 5F083PR36
