特許
J-GLOBAL ID：200903096651147355
エッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-147995
公開番号（公開出願番号）：特開平10-056001
出願日： 1997年06月05日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：
【要約】【課題】 誘電層に対して、エッチレイトが高く且つ選択比が良好で且つ広い範囲の処理条件で操作可能なエッチング方法【解決手段】 誘電層を支持している基板をプロセス領域に配置するステップと、プロセス領域内に導入されるプロセスガスからプラズマを生成して、基板上の誘電層をエッチングするステップとを有し、プロセスガスが、(i)弗素含有エッチャント種を形成するための弗化炭化水素ガスと、(ii) -60〜20°Cの液化温度(LT)を有するNH3 発生ガスと、(iii)炭素と酸素とが相互に結合した酸化炭素ガスとを備える事と:基板及び誘電層が(LT-50)°C〜(LT+50)°Cの温度に維持される事とを特徴とする。
請求項（抜粋）：
シリコンウエハその他の基板の上に載っている誘電層をエッチングする方法であって、誘電層を上に載せている基板をプロセス領域内に配置するステップと、プロセス領域内に導入されるプロセスガスからプラズマを生成して、基板上の誘電層をエッチングするステップと、を備え、(1)プロセスガスが、(i)弗素含有エッチャント種を形成するための弗化炭化水素ガスと、(ii)-60〜20°Cの液化温度(LT)を有するNH3 発生ガスと、(iii)炭素と酸素とが相互に結合した酸化炭素ガスとを備える事と(2)基板と誘電層とが、(LT-50)°C〜(LT+50)°Cの温度に維持される方法。
引用特許：
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