薄膜半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：目次誠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-118637
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316487
出願日： 1995年05月17日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】 TFTのオンオフ特性を劣化させることなく、チャネルドープによるしきい値電圧の制御を行わせることが可能な半導体薄膜装置の製造方法を得る。【構成】基板1あるいは絶縁性薄膜2の表面にチャネルドープ用の不純物をイオン注入し、基板ドープ層13を形成する。基板ドープ層13上に、a-Si膜を形成した後、エキシマレーザー17を照射し、a-Si膜14aを溶融再結晶化し、多結晶Si膜14を形成する。このとき、同時に基板ドープ層13中から不純物を熱拡散させ、チャネルドープ領域16aを形成する。その後、ゲート電極、ソース・ドレイン領域を形成し、TFTを製造する。

請求項（抜粋）：

基板上に不純物を含む絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に半導体の非晶質層を形成する工程と、前記非晶質層にエネルギービームを照射することによって前記絶縁層から前記非晶質層内に前記不純物を拡散させるとともに、前記非晶質層を結晶化させて不純物が導入された半導体結晶層を形成する工程とを備えることを特徴とする、薄膜半導体装置の製造方法。

IPC (8件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/136 500 , H01L 21/225 , H01L 21/268 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 27/08 331

FI (7件)：

H01L 29/78 627 G , G02F 1/136 500 , H01L 21/225 Q , H01L 21/268 Z , H01L 27/08 331 E , H01L 27/08 321 B , H01L 29/78 618 F

引用特許：

審査官引用 (13件)

薄膜状絶縁ゲイト型半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-073314 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
特開昭63-114265
特開昭63-114265

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