プラズマエッチング装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田宮寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-139608
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333878
出願日： 1993年05月18日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：

【要約】【目的】プラズマエッチング装置において被加工物の汚染の発生を少なくしエッチングの均一性を向上する。【構成】対向する2つの電極1,2の間に一方の当該電極1の対向面から噴射されたガスを導入しかつ電極の間に高周波電力を供給することによりプラズマを発生させ、他方の電極2の上に設置した被加工物8を加工するプラズマエッチング装置において、前記ガスを噴射する電極の対向面に単結晶Si(シリコン)または多結晶Siからなるガス導入板5を付設するように構成される。ガス導入板5には直径約0.2〜1mmのガス吹出し孔7が複数個形成されている。またガス導入板5の内側に間隙部6を設け、この間隙部6の外周部でガス導入板5と電極1とを電気的および熱的に接触させるように構成される。

請求項（抜粋）：

対向する2つの電極の間に一方の前記電極の対向面から噴射されたガスを導入しかつ前記2つの電極の間に高周波電力を供給することによりプラズマを発生させ、他方の前記電極の上に設置した被加工物を加工するプラズマエッチング装置において、前記ガスを噴射する前記電極の対向面に単結晶Siまたは多結晶Siからなるガス導入板を付設したことを特徴とするプラズマエッチング装置。

IPC (3件)：

H01L 21/302 , C23F 4/00 , H05H 1/46

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-073936
特開昭62-085430
ドライエッチング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-093435 出願人：東京エレクトロン山梨株式会社

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