半導体装置及びその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：前田弘 , 小山廣毅 , 竹内宏 , 竹内祐二 , 今江克実 , 原田智雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-271353
公開番号（公開出願番号）：特開2005-033030
出願日： 2003年07月07日
公開日（公表日）： 2005年02月03日
要約：

【課題】電極の断線,電気抵抗の局部的増大,エレクトロマイグレ-ションなどを抑制するための半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】高抵抗SiC層2の形成、pウェル領域3の形成、チャネル層5のエピタキシャル成長を順次行なった後、チャネル層5及びpウェル領域3の一部にp+ コンタクト領域4を形成し、p+ コンタクト領域4の上方を開放した注入マスクを用いて、p+ コンタクト領域4の側部を囲むソース領域6を形成し、その後に、ソース領域6及びp+ コンタクト領域4に跨るソース電極8を形成する。ソース電極8の下地における段差がほとんどないので、ソース電極8のエレクトロマイグレーション,断線,電気的抵抗の局部的増大などの発生が抑制される。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板の主面上に設けられた炭化珪素層と、上記炭化珪素層の一部に設けられ、第1導電型不純物を含む高濃度不純物拡散領域と、上記炭化珪素層の一部において上記高濃度不純物拡散領域の側部及び底部を囲むように設けられ、2導電型不純物を含むウェル領域と、側部が上記高濃度不純物拡散領域に囲まれ、かつ、底部が上記ウェル領域に接触するように形成され、上記ウェル領域よりも高濃度の第2導電型不純物を含むコンタクト領域と、上記炭化珪素層,上記ウェル領域及び上記高濃度不純物拡散領域の各一部に跨って設けられたチャネル層と、上記高濃度不純物拡散領域及び上記コンタクト領域の各上面に接触するように設けられた電極とを備え、上記コンタクト領域の上面と上記高濃度不純物拡散領域の上面との段差が、上記電極の厚さの1/2以下である,半導体装置。

IPC (3件)：

H01L29/78 , H01L21/28 , H01L29/417

FI (5件)：

H01L29/78 652T , H01L29/78 652D , H01L29/78 652E , H01L21/28 301B , H01L29/50 M

Fターム (12件)：

4M104AA03 , 4M104BB02 , 4M104BB05 , 4M104CC01 , 4M104DD34 , 4M104DD64 , 4M104DD79 , 4M104FF31 , 4M104GG09 , 4M104GG18 , 4M104HH01 , 4M104HH15

引用特許：

出願人引用 (1件)

炭化珪素半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-326936 出願人：株式会社デンソー

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