特許
J-GLOBAL ID：200903096721504622
磁気抵抗効果素子及び薄膜磁気ヘッド
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
長谷川 芳樹
, 寺崎 史朗
, 阿部 豊隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-176932
公開番号（公開出願番号）：特開2005-012111
出願日： 2003年06月20日
公開日（公表日）： 2005年01月13日
要約：
【課題】ピンド層の磁化固定力が高く、且つ、高い磁気抵抗変化率を実現できる磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、及びハードディスク装置を提供すること。【解決手段】薄膜磁気ヘッド10は、反強磁性層36と、反強磁性層と交換結合して磁化の向きが固定されるとともに、反強磁性層に接する第1強磁性層43、第1強磁性層と磁化の方向が逆方向にされた第2強磁性層41、及び第1強磁性層と第2強磁性層との間に配された非磁性スペーサ層42を有するピンド層45と、フリー層34と、ピンド層とフリー層との間に設けられた中間層35とを備える。ピンド層の第1強磁性層43は、強磁性材料からなる第1層43bと、該層と非磁性スペーサ層42との間に配され強磁性材料からなる第2層43aとを有し、第1層43bのバルク散乱係数は、第2層43aのバルク散乱係数よりも低くなっている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
反強磁性層と、
前記反強磁性層と交換結合して磁化の向きが固定されるとともに、前記反強磁性層に接する第1強磁性層、前記第1強磁性層と磁化の方向が逆方向にされた第2強磁性層、及び前記第1強磁性層と前記第2強磁性層との間に配された非磁性スペーサ層を有するピンド層と、
外部磁界に応じて磁化の向きが変化するフリー層と、
前記ピンド層と前記フリー層との間に設けられた中間層と、を備え、
前記ピンド層における前記第1強磁性層は、
強磁性材料からなる第1層と、
当該第1層と前記非磁性スペーサ層との間に配され強磁性材料からなる第2層とを有し、
前記第1層のバルク散乱係数は、前記第2層のバルク散乱係数より低いことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (5件)：
H01L43/08
, G01R33/09
, G11B5/39
, H01F10/16
, H01F10/32
H01L43/08 M
, H01L43/08 Z
, G11B5/39
, H01F10/16
, H01F10/32
, G01R33/06 R
2G017AA03
, 2G017AD55
, 2G017AD63
, 2G017AD66
, 5D034BA03
, 5D034BA04
, 5D034CA08
, 5E049AA04
, 5E049BA12
