特許

J-GLOBAL ID：200903096723837912

超音波センサ

発明者： 奥山 雅則
出願人/特許権者： 奥山 雅則
代理人 (1件)： 西教 圭一郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-206196
公開番号（公開出願番号）：特開平7-055919
出願日： 1993年08月20日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：

【要約】【目的】 感度の向上を図り、さらにノイズの混入を防ぐ。【構成】 シリコン半導体基板上に片持ち梁形式で圧電体膜を支持して形成し、その圧電体膜の厚み方向の両表面に一対の各電極を形成し、いずれか少なくとも一方の電極は、基端部付近にのみ形成し、これによって大きな応力が作用する基端部付近における圧電検出電圧をそのまま導出して感度の向上を図ることができる。この半導体基板上に、電界効果トランジスタを用いたソースホロワ回路を設け、これによって誘導ノイズおよびポップコーンノイズなどのノイズの混入を防ぐ。

請求項（抜粋）：

圧電体膜を片持ち梁形式で支持体に支持し、圧電体膜の基端部付近を含む厚み方向の両表面に一対の各電極を形成した超音波センサにおいて、少なくともいずれか一方の電極は、前記基端部付近にのみ形成されることを特徴とする超音波センサ。