特許
J-GLOBAL ID：200903096731613802
シリカ膜で被覆されたGaとZnSとの接合を有するナノワイヤー及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-201975
公開番号（公開出願番号）：特開2007-015092
出願日： 2005年07月11日
公開日（公表日）： 2007年01月25日
要約：
【課題】 電子デバイスや光学デバイスとして有用であり、化学的に不活性なシリカ膜で被覆されたGaナノワイヤーとZnSナノワイヤーとが接合してなるナノワイヤー及びその製造方法を提供する。【解決手段】 ZnS粉末とGa2 O3 粉末とSiO粉末との混合物を不活性ガス気流中で、1400〜1500°Cの温度範囲において、1〜2時間加熱することにより、GaナノワイヤーとZnSナノワイヤーとが接合してなるナノワイヤーであって、ナノワイヤーが、厚さが4〜8nmのシリカ膜で被覆されているナノワイヤーが得られる。このGaナノワイヤーとZnSナノワイヤーとが接合してなるナノワイヤーの直径は、150〜250nmであり、その長さが数μm〜数十μmである。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
GaナノワイヤーとZnSナノワイヤーとが接合してなるナノワイヤーであって、上記ナノワイヤーが、シリカ膜で被覆されていることを特徴とする、シリカ膜で被覆されたGaとZnSとの接合を有するナノワイヤー。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
引用文献：
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