特許

J-GLOBAL ID：200903096736126349

化学的機械的平坦化方法

発明者： 菊池 信
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-282494
公開番号（公開出願番号）：特開2007-095945
出願日： 2005年09月28日
公開日（公表日）： 2007年04月12日
要約：

【課題】ウェハを研磨する際に、高研磨速度でウェハ面内での均一性の高い研磨が可能な化学的機械的研磨方法を提供する。【解決手段】複素環化合物を含有する金属用研磨液を研磨定盤上の研磨パッドに供給し、前記研磨パッドをウェハの被研磨面と接触させ相対運動させて研磨する半導体デバイスの化学的機械的平坦化方法であって、研磨中における前記研磨パッドの最高温度が30°C以上40°C未満であり、かつ前記最高温度と研磨終了後の前記研磨パッドの温度との差が10°C未満であることを特徴とする化学的機械的平坦化方法である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

複素環化合物を含有する金属用研磨液を研磨定盤上の研磨パッドに供給し、前記研磨パッドをウェハの被研磨面と接触させ相対運動させて研磨する半導体デバイスの化学的機械的平坦化方法であって、 研磨中における前記研磨パッドの最高温度が30°C以上40°C未満であり、かつ前記最高温度と研磨終了後の前記研磨パッドの温度との差が10°C未満であることを特徴とする化学的機械的平坦化方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 ,  B24B 37/00

FI (5件)：

H01L21/304 622R ,  H01L21/304 621D ,  H01L21/304 622D ,  B24B37/00 H ,  B24B37/00 J

Fターム (8件)：

3C058AA07 ,  3C058AC02 ,  3C058BA08 ,  3C058CA01 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 米国特許4944836号公報
  
• 特開平2-278822号公報
  
• 研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-323998   出願人：日立化成工業株式会社