特許
J-GLOBAL ID：200903096796792275

光電変換装置及びその製造方法

発明者：
杉山 巌

杉山 巌 について

, 
後藤 広志

後藤 広志 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-338457
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156280
出願日： 1999年11月29日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：
【要約】【課題】 感度向上及びリーク電流の低減を図り、隣接画素へのクロストークの大幅な低減を実現し、高性能で信頼性の高い光電変換装置を提供する。【解決手段】 P型層21及びN型層22からなり、PN接合の光起電力を利用した受光部となる光電変換素子11と、光電変換素子11を囲むMOSトランジスタ12から光電変換装置を構成する。ここで、MOSトランジスタ12が形成されたP型ウェル23の不純物濃度をP型層21のそれより高くなるように、具体的にはP型層21の濃度分布を内部へ向かうにつれて徐々に増加し、所定深さの部位から再び減少するとともに、その最大値がP型ウェル23のP型濃度分布の最大値より小さくなるように調節する。
請求項（抜粋）：
第1導電型層を囲むように第2導電型層が形成されてなり、半導体PN接合の光起電力を利用した光電変換素子を備えた光電変換装置において、前記光電変換素子を囲むように、前記第2導電型層の不純物濃度に比して高い不純物濃度の第2導電型のウェルが配されてなることを特徴とする光電変換装置。
IPC (2件)：
H01L 27/146 ,  H01L 31/10
FI (2件)：
H01L 27/14 A ,  H01L 31/10 E
Fターム (20件)：
4M118AA01 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118EA15 ,  4M118FA06 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  5F049MA02 ,  5F049MB02 ,  5F049NA01 ,  5F049NA04 ,  5F049NB05 ,  5F049PA10 ,  5F049QA15 ,  5F049RA03 ,  5F049RA04 ,  5F049RA06 ,  5F049SS03
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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