特許

J-GLOBAL ID：200903086251419598

炭化珪素エピタキシャル基板およびその製造方法

発明者： 藍郷 崇 ,  大谷 昇 ,  矢代 弘克 ,  藤本 辰雄 ,  勝野 正和
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-058922
公開番号（公開出願番号）：特開2002-255692
出願日： 2001年03月02日
公開日（公表日）： 2002年09月11日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 本発明は、鏡面で表面の凸凹が少ない良質なSiCエピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】 表面にマイクロパイプ欠陥が存在しない(11-20)面を持つSiCウェハを成長炉内に入れ、真空排気後、大気圧にする。水素ガスを流したまま、誘導加熱によりリセプタを1580°Cまで加熱し、その温度で塩化水素ガスを10分間流した後、塩化水素ガスを止め、水素ガスは流したままで、800°Cまで降温し、成長炉内の塩化水素ガスをパージした後、再び1500°Cに昇温して、エピタキシャル成長を開始した。このような前処理方法を行ったSiCエピタキシャル基板表面には目立った凹凸はなく、表面粗さ計で測定したところ、Ra値(表面凸凹の平均値)が40nmであった。

請求項（抜粋）：

表面にマイクロパイプ欠陥が存在しない炭化珪素単結晶ウェハ上に炭化珪素薄膜をエピタキシャル成長してなる炭化珪素エピタキシャル基板であって、該炭化珪素エピタキシャル基板の表面粗さRa値が50nm以下であることを特徴とする炭化珪素エピタキシャル基板。

IPC (2件)：

C30B 29/36 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

C30B 29/36 A ,  H01L 21/205

Fターム (15件)：

4G077AA03 ,  4G077BD01 ,  4G077BE08 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE02 ,  5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AD18 ,  5F045AF02 ,  5F045BB12 ,  5F045HA03

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 炭化珪素単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-026999   出願人：株式会社デンソー
• 半導体装置作製用SiC単結晶基板とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-357053   出願人：株式会社豊田中央研究所
• 特開昭63-117425
  
• SiCウエハ、SiC半導体デバイス、および、SiCウエハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-127471   出願人：松波弘之, 木本恒暢, 株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 三菱商事株式会社, 住友電気工業株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 縦型ホットウォールCVDによるSiCエピタキシャル成長