特許
J-GLOBAL ID：200903096812526971
半導体センサの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-246497
公開番号（公開出願番号）：特開平8-116070
出願日： 1994年10月12日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：
【要約】【目的】犠牲層を除去することによりセンサ本体を形成する際においてセンサ本体の破損や基板への固着を防止することができる半導体センサの製造方法を提供することにある。【構成】半導体加速度センサはシリコン基板17上において可動電極4がアンカー部により空間を隔てて支えられた構造をなしている。加速度の作用に伴う可動電極4の変位から加速度が検出される。製造の際には、シリコン基板17上に絶縁膜22を形成するとともに絶縁膜22上の可動電極形成領域に可動電極形成部材24を配置し、ドライプロセスのみでアンカー部を除く可動電極形成部材24の下の絶縁膜22をエッチングして可動部4を形成する。この際、絶縁膜22としてシリコン酸化膜を用い、ふっ化水素ガスとH2 Oガスとからなる反応性ガスをキャリアガスにて搬送しつつ絶縁膜22をエッチングする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上においてセンサ本体がアンカー部により空間を隔てて支えられた構造をなす半導体センサの製造方法であって、前記半導体基板上に犠牲層を形成するとともに犠牲層上のセンサ本体形成領域にセンサ本体形成部材を配置する工程と、ドライプロセスのみで前記アンカー部を除く前記センサ本体形成部材の下の犠牲層をエッチングして前記センサ本体を形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体センサの製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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