特許
J-GLOBAL ID：200903096823801702
固体撮像素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-236197
公開番号（公開出願番号）：特開2008-060380
出願日： 2006年08月31日
公開日（公表日）： 2008年03月13日
要約：
【課題】画素間においてフォトダイオード領域の特性ばらつきが少ない固体撮像素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の固体撮像素子(10)の製造方法は、イオン注入マスクを形成する工程において、半導体基板の主面に対し垂直方向から見たときに、イオン注入マスクの開口部が、半導体基板の結晶軸[001]又は結晶軸[010]に対する角度(θ)が5度以上45度以下の範囲となる一辺(16a)を含み、イオン注入(37)する工程において、半導体基板の主面に対し垂直方向から見たときに、イオン注入(37)する方向が、一辺(16a)に対して平行な方向、かつ、フォトダイオード領域(16)が形成される領域からチャネル領域に向かう方向であることを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
チャネル領域及びゲート電極を含むMOSトランジスタと、前記ゲート電極下で前記チャネル領域に接したフォトダイオード領域とを含む画素を2以上含む固体撮像素子の製造方法であって、
(i)半導体基板に前記チャネル領域を形成する工程と、
(ii)前記半導体基板の主面上にレジストを塗布した後、フォトマスクを用いて開口部を含むイオン注入マスクを形成する工程と、
(iii)前記開口部にイオン注入することによって、前記フォトダイオード領域を形成する工程と、
(iv)前記チャネル領域及び前記フォトダイオード領域の上に、前記ゲート電極を形成する工程とを含み、
前記(ii)工程において、前記主面に対し垂直方向から見たときに、前記開口部は、前記半導体基板の結晶軸[001]又は結晶軸[010]に対する角度が5度以上45度以下の範囲となる一辺を含み、
前記(iii)工程において、前記主面に対し垂直方向から見たときに、前記イオン注入する方向は、前記一辺に対して平行な方向、かつ、前記フォトダイオード領域が形成される領域から前記チャネル領域に向かう方向であることを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 27/146
, H01L 21/02
, H01L 31/10
H01L27/14 A
, H01L21/02 B
, H01L31/10 A
4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA02
, 4M118CA03
, 4M118EA03
, 4M118EA07
, 4M118EA14
, 4M118FA33
, 5F049MA02
, 5F049MB03
, 5F049NA20
, 5F049NB05
, 5F049PA10
, 5F049QA03
, 5F049RA02
, 5F049RA08
, 5F049SS03
, 5F049UA01
