特許
J-GLOBAL ID：200903096825647913
ジャンクションバリアショットキーダイオードを備えた炭化珪素半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
伊藤 洋二
, 三浦 高広
, 水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-143328
公開番号（公開出願番号）：特開2008-300506
出願日： 2007年05月30日
公開日（公表日）： 2008年12月11日
要約：
【課題】サージ発生時に電界集中による素子破壊を防止できるJBSを備えたSiC半導体装置を提供する。【解決手段】ショットキー電極4のうちn-型ドリフト層2と接触する領域の中心部に近づくほどp型層8a〜8dの幅、つまりn+型基板1の平面方向の寸法が広くなるようにする。これにより、中心部においてサージ電流が流れる際のp型層8の断面積を大きくして抵抗値を下げることができ、p型層8のうち外周部8dよりも中心部8a寄りの部分に多くのサージ電流が流れるようにできる。したがって、終端構造とp型層8との境界位置で電界集中がし難くなる構造にでき、より高いサージ耐圧を得ることが可能となる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
主表面(1a)および裏面(1b)を有し、第1導電型の炭化珪素からなる基板(1)と、
前記基板(1)の前記主表面(1a)上に形成され、前記基板(1)よりも低不純物濃度とされた第1導電型の炭化珪素からなるドリフト層(2)と、
前記ドリフト層(2)の上に配置され、該ドリフト層(2)におけるセル部に開口部(3a)が形成された絶縁膜(3)と、
前記セル部に形成され、前記絶縁膜(3)の開口部(3a)を通じて、前記ドリフト層(2)の表面とショットキー接触するように形成されたショットキー電極(4)と、前記基板(1)の裏面(1b)に形成されたオーミック電極(5)とを備えてなるショットキーバリアダイオード(10)と、
前記セル部の外周領域に形成され、前記ドリフト層(2)の表層部において、前記セル部を囲むように形成された第2導電型のリサーフ層(6)を含む終端構造と、
前記リサーフ層(6)の内側となる前記ショットキー電極(4)のうち前記ドリフト層(2)と接する領域の下方に、前記ドリフト層(2)の表面において前記ショットキー電極(4)と接続されるように形成され、かつ、互いに離間して配置された複数の第2導電型層(8)とを備え、
前記複数の第2導電型層(8)と前記ドリフト層(2)とによりPNダイオードが構成され、
前記複数の第2導電型層(8)は、前記ショットキー電極(4)のうち前記ドリフト層(2)と接する領域の中心部側に配置されるものの方が外周部側に配置されるものと比べて、前記中心部を中心とした径方向の寸法が大きくされていることを特徴とするジャンクションバリアショットキーダイオードを備えた炭化珪素半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L29/48 F
, H01L29/48 D
4M104AA03
, 4M104BB05
, 4M104BB14
, 4M104BB16
, 4M104BB18
, 4M104CC03
, 4M104FF32
, 4M104FF35
, 4M104GG03
, 4M104HH18
, 4M104HH20
出願人引用 (1件)
審査官引用 (2件)
-
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-261957
出願人：株式会社東芝
-
特開平2-137368
前のページに戻る
