特許

J-GLOBAL ID：200903020798660620

ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法

発明者： 上野 勝典 ,  斎藤 明
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-099689
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294804
出願日： 1999年04月07日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：

【要約】【課題】オン電圧が低く、かつ逆バイアス時のリーク電流が少ないショットキーバリアダイオードおよびその製造方法を提供する。【解決手段】n+ サブストレート41上のnエピタキシャル層42内に、深さを変え、平面的な位置をずらした、例えばストライプ状のp埋め込み領域43a、43bが埋め込まれている。nエピタキシャル層42の表面には、ショットキー接合を形成するアノード電極45が設けられ、そのアノード電極45はまた、nエピタキシャル層42内に形成されたpコンタクト領域44の表面にも接触している。すなわち、p埋め込み領域43a、43bは、pコンタクト領域44を介して、アノード電極45と同電位にされている。

請求項（抜粋）：

第一導電型半導体層の表面にショットキー接合を形成する金属のアノード電極を配置し、第一導電型半導体層の裏面側にオーミックなカソード電極を設けたショットキーバリアダイオードにおいて、アノード電極の下方の前記第一導電型半導体層の異なる二つ以上の深さに、逆バイアス時に空乏層が連続するような間隔で第二導電型埋め込み領域が形成され、隣接する上下の第二導電型埋め込み領域が平面図上で互いにずらされており、かつ第二導電型埋め込み領域をアノード電極と同電位とすることを特徴とするショットキーバリアダイオード。

IPC (3件)：

H01L 29/872 ,  H01L 21/265 ,  H01L 29/861

FI (5件)：

H01L 29/48 D ,  H01L 21/265 F ,  H01L 29/48 F ,  H01L 29/91 D ,  H01L 29/91 F

Fターム (13件)：

4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104BB14 ,  4M104CC03 ,  4M104DD26 ,  4M104DD37 ,  4M104FF17 ,  4M104FF32 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104GG18 ,  4M104HH17 ,  4M104HH18

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-138754
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-236338   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-261132   出願人：新電元工業株式会社