特許
J-GLOBAL ID：200903096862463180
有機高分子基体の表面改質方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小谷 悦司
, 植木 久一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-184437
公開番号（公開出願番号）：特開2004-026986
出願日： 2002年06月25日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：
【課題】高圧流体で無電解めっき用の触媒を有機高分子基体に固着させる際に、有機高分子基体に対してダメージを与えることなく、しかも触媒を無駄なく有機高分子基体の表面近傍に存在させることのできる温度および圧力条件を確立する。【解決手段】高圧容器内で、有機高分子基体と、有機金属化合物を含む高圧流体とをバッチ式で接触させることにより、有機高分子基体表面に有機金属化合物を固定させる方法において、高圧流体として、二酸化炭素、窒素および炭素数4以下の炭化水素のうちのいずれかを用い、高圧流体の臨界圧力がPc1(MPa)であるとき、高圧流体の温度T1(K)および圧力P1(MPa)を、それぞれ下記式(1)および(2)を満足するように制御して、前記接触工程を行う。313≦T1≦473 ...(1)0.8Pc1≦P1≦5.0Pc1 ...(2)【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
高圧容器内で、有機高分子基体と、有機金属化合物を含む高圧流体とをバッチ式で接触させることにより、有機高分子基体表面に有機金属化合物を固定させる方法において、
有機金属化合物として、Ni、Cu、Cr、Pt、Au、Ag、PdおよびFeよりなる群から選択される1種以上の金属を含む有機金属錯体を用い、
高圧流体として、二酸化炭素、窒素および炭素数4以下の炭化水素のうちのいずれかを用いると共に、
高圧流体の臨界圧力がPc1(MPa)であるとき、高圧流体の温度T1(K)および圧力P1(MPa)を、それぞれ下記式(1)および(2)を満足するように制御して、前記接触工程を行うことを特徴とする有機高分子基体の表面改質方法。
313≦T1≦473 ...(1)
0.8Pc1≦P1≦5.0Pc1 ...(2)
IPC (2件)：
FI (3件)：
C08J7/06 Z
, C08J7/06
, C23C18/30
4F006AA04
, 4F006AA12
, 4F006AA15
, 4F006AA35
, 4F006AA36
, 4F006AA37
, 4F006AA38
, 4F006AB73
, 4F006BA06
, 4F006BA07
, 4F006DA01
, 4F006DA02
, 4F006EA01
, 4F006EA05
, 4K022AA13
, 4K022BA06
, 4K022BA08
, 4K022BA14
, 4K022CA07
, 4K022CA17
, 4K022CA19
, 4K022CA20
, 4K022CA21
, 4K022CA22
, 4K022DA01
