パターン基板およびパターンなし基板上に金属および金属合金被膜を形成するための化学流体被着

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：恩田博宣 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-535628
公開番号（公開出願番号）：特表2003-514115
出願日： 2000年11月02日
公開日（公表日）： 2003年04月15日
要約：

【要約】i)超臨界または近超臨界溶液を形成するべく超臨界または近超臨界溶媒内に物質の前駆物を溶解させることと、(ii)前駆物が溶液中で安定する条件下で溶液に対し基板を露出することと、(iii)前駆物が関与する化学反応を開始する条件下で溶液中に反応試薬を混合し、かくして、超臨界または近超臨界条件を維持しながら固体基板上に物質を被着させることによって、例えばパターン形成されたシリコンウェーハといった基板の表面上に物質(例えば金属、金属混合物または合金、金属酸化物または半導体)の被膜または離散的クラスターの不連続層を被着させるための方法が記述されている。本発明は同様に、物質粒子を多孔質固体の形に被着させるための類似の方法、および基板上の物質被膜または中に被着された物質粒子を有する多孔質固体をも内含している。本発明は同様に、触媒層とそれに続くメッキ層を被着させることにより、メッキされた基板を調製する方法も網羅している。

請求項（抜粋）：

パターン基板の表面上に物質の被膜を被着させるための方法であって、 i)超臨界または近超臨界溶液を形成するべく溶媒中に前記物質の前駆物を溶解させる工程と、 ii)前駆物が溶液中で安定する条件下で溶液に対しパターン基板を露出する工程と、 iii)前駆物が関与する化学反応を開始する条件下で溶液中に反応試薬を混合する工程とからなり、超臨界または近超臨界条件を維持しながら、基板および反応試薬が溶液と接触しているとき、パターン基板の表面上に前記物質を被着させる方法。

IPC (7件)：

C23C 18/16 , C25D 5/34 , C25D 7/12 , H01L 21/208 , H01L 21/288 , H01L 21/316 , H01L 21/368

FI (7件)：

C23C 18/16 Z , C25D 5/34 , C25D 7/12 , H01L 21/208 D , H01L 21/288 Z , H01L 21/316 U , H01L 21/368 Z

Fターム (53件)：

4K022AA02 , 4K022AA03 , 4K022AA05 , 4K022AA13 , 4K022AA37 , 4K022AA41 , 4K022BA08 , 4K022BA14 , 4K022BA31 , 4K022BA32 , 4K022BA35 , 4K022BA36 , 4K022CA19 , 4K022CA21 , 4K022DA01 , 4K022DA09 , 4K024AA03 , 4K024AA12 , 4K024AA14 , 4K024AB02 , 4K024AB08 , 4K024AB17 , 4K024BA11 , 4K024BB12 , 4K024CA04 , 4K024DA08 , 4K024DA10 , 4K024GA01 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB36 , 4M104DD46 , 4M104DD51 , 4M104DD52 , 4M104DD53 , 4M104FF13 , 5F053AA03 , 5F053AA22 , 5F053AA48 , 5F053BB06 , 5F053DD01 , 5F053DD03 , 5F053DD11 , 5F053DD20 , 5F053FF01 , 5F053HH04 , 5F058BC02 , 5F058BC03 , 5F058BD04 , 5F058BD05 , 5F058BF41

引用特許：

審査官引用 (7件)

無電解メッキによる集積回路の配線方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-111622 出願人：株式会社明電舎
めっき法による配線金属膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-264586 出願人：松下電器産業株式会社
金属膜被着体、接着剤層および接着剤
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-219561 出願人：イビデン株式会社

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