特許
J-GLOBAL ID：200903096862653680

半導体装置及びその作製方法

発明者：
須沢 英臣

須沢 英臣 について

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楠山 義弘

楠山 義弘 について

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山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-058532
公開番号（公開出願番号）：特開2002-343811
出願日： 2002年03月05日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：
【要約】【課題】 生産性の向上及び歩留まりの向上が可能なアクティブマトリックス方式の液晶表示装置を提供する。【解決手段】 本発明は、同じエッチングガスを用いて、金属材料からなる導電膜、一導電型を付与する不純物元素を含む第2の非晶質半導体膜、非晶質半導体膜からなる積層膜を選択的にエッチングして第1の非晶質半導体膜1001の端部をテーパー形状にすることで、画素電極1003のカバレッジの問題を解決し、さらに3枚のフォトマスクで逆スタガ型のTFTを完成することが可能となる。
請求項（抜粋）：
絶縁表面上にゲート配線と、前記ゲート配線上に絶縁膜と、前記絶縁膜上に第1の非晶質半導体膜と、前記第1の非晶質半導体膜上に一導電型の不純物元素を含有する第2の非晶質半導体膜からなるソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域または前記ドレイン領域上にソース配線または電極と、前記電極と一部接して重なる画素電極とを有し、前記第1の非晶質半導体膜の端部はテーパー形状であることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/336 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 29/786
FI (6件)：
G02F 1/1368 ,  H01L 29/78 627 C ,  H01L 29/78 618 C ,  H01L 29/78 616 T ,  H01L 29/78 616 L ,  H01L 21/302 A
Fターム (67件)：
2H092JA24 ,  2H092JA28 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JB01 ,  2H092MA13 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  2H092PA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA29 ,  5F004DB01 ,  5F004EA40 ,  5F110AA16 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK15 ,  5F110HK16 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110HM03 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ04
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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