特許
J-GLOBAL ID：200903096876043770

半導体装置の製造方法

発明者：
二瀬 卓也

二瀬 卓也 について

, 
飛松 博

飛松 博 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-138949
公開番号（公開出願番号）：特開2007-311540
出願日： 2006年05月18日
公開日（公表日）： 2007年11月29日
要約：
【課題】接続孔部分における電気的特性のばらつきを低減することにより、半導体装置の信頼性および製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。【解決手段】成膜装置のドライクリーニング処理用のチャンバ57に備わるウエハステージ57a上に半導体ウエハSWを置いた後、還元ガスを供給して半導体ウエハSWの主面上をドライクリーニング処理し、続いて180°Cに維持されたシャワーヘッド57cにより半導体ウエハSWを100から150°Cの第1の温度で熱処理する。次いで半導体ウエハSWをチャンバ57から熱処理用のチャンバへ真空搬送した後、そのチャンバにおいて150から400°Cの第2の温度で半導体ウエハSWを熱処理することにより、半導体ウエハSWの主面上に残留する生成物を除去する。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
絶縁膜に開口した接続孔の内部にバリアメタル膜を介して金属膜を埋め込む半導体装置の製造方法であって、前記絶縁膜に前記接続孔を形成した後、前記接続孔の内部に前記バリアメタル膜を堆積する前に以下の工程を含む半導体装置の製造方法: (a)第1のチャンバに備わるウエハステージ上に半導体ウエハを置く工程; (b)前記ウエハステージの上方に設置されたシャワーヘッドを介して還元ガスを供給し、前記接続孔の内部をドライクリーニング処理する工程; (c)前記シャワーヘッドの加熱温度を利用した第1の温度で前記半導体ウエハを熱処理する工程; (d)前記半導体ウエハを前記第1のチャンバから第2のチャンバへ搬送する工程; (e)前記第2のチャンバにおいて、前記第1の温度よりも高い第2の温度で前記半導体ウエハを熱処理する工程。
IPC (2件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/28
FI (2件)：
H01L21/90 C ,  H01L21/28 A
Fターム (80件)：
4M104AA01 ,  4M104AA09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB25 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104CC01 ,  4M104DD22 ,  4M104DD23 ,  4M104FF14 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH09 ,  4M104HH15 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK01 ,  5F033KK07 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033KK25 ,  5F033KK27 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP11 ,  5F033PP12 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ07 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ84 ,  5F033QQ85 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ94 ,  5F033QQ95 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033WW03 ,  5F033XX09 ,  5F033XX14 ,  5F033XX21
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-125948   出願人：三菱電機株式会社
  • 特開平2-256235号公報
  • 特開平3-116727号公報
審査官引用 (2件)

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